元件知识

qaj · 发表于 2007-12-22 14:35:34

(2) 品質因數(Q值)
   感抗xL=WL=2πfL Q=2πfL/R  Q即為品質因數
3. 種類
可分為固定電感器,帶磁心電感線圈,可變電感器
四.半導体二極管 (英文 Diode)
DIODE Test # Description
1 VF Forward voltage
2 IR Reverse current leakage
3 BVR Breakdown voltage

1. 電路符號

2. 單向導電性
二極管只能一個方向流過電流,即電能只能從它正極流向負極.在正常情況下,硅管的正向壓降為0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V,即二極管正向壓降基本保持不變,當外加正向電壓達到一定程度,二極管正向電流會很大,將燒壞二極管.當加在二極管上的反向電壓小于一個臨界值時,二極管的反向電流很小,即反向時二極管的內阻很大,相當于二極管截止.當二極管的反向電壓大于臨界值時,二極管會反向擊穿.
3.結構
是由一個P型半導体和一個N型半導体構成,組成一個PN結,PN結具有單向導電性.
4.種類
(1)普通二極管 (2)發光二極管 (3)穩壓二極管 (4)變容二極管

5.主要參數
(1) 最大平均整流電流IF: 表征二極管所能流過的最大正向電流.在一
個周期內的平均電流值不能超過IF,否則二極管將會燒壞.
(2) 最大反向工作電壓VR
(3) 反向電流IR:是在最大反向工作電壓下的二極管反向電流值
(4) 工作頻率:表示二極管在高頻下的單向導電性能.
五.穩壓二極管
Test # Description
1 VF Forward voltage
2 BVZ Minimum Zener voltage.(Use test #5)
3 BVZ Maximum Zener voltage.(Use test #5)
4 IR Reverse current leakage
5 BVZ BVz with programmable soak
6 ZZ 1 KHz Zener Impedance(requires ZZ-1000 or Model 5310)

1.電路符號

         (圖一)                (圖二)
2.穩壓原理
從(圖二)穩壓特性曲線可以看出,當穩壓管反向擊穿後,流過二極管的工作電流發生很大變化時,穩壓二極管的電壓降壓V2基本不變,所以穩壓管穩壓就是利用二極管兩端的電壓能穩定不變的特性.若加在穩壓管上的反向電壓小于反向擊穿電壓值,那麼穩壓管處于截止狀態,即開路.
3. 主要參數
(1) 穩定電壓
(2) 穩定電流:穩壓管工作對參考電流值,電流小于該值,穩壓效果會略差
(3) 額定功率損耗
(4) 電壓溫度系數
(5) 動態電阻
六.半導体三極管(又稱晶体三極管)
TRANSISTOR Test # Description
1 hFE Forward-current transfer ratio
2 VBE Base emitter voltage(see also Appendix F)
3 IEBO Emitter to base cutoff current
4 VCESAT Saturation voltage
5 ICBO Collector to base cutoff current
6 ICEO Collector to emiter cutoff current
ICER, with base to emiter load,
ICEX, reverse bias,or
ICES short(see also Appendix F)
7 BVCEO Breakdown voltage,collector to emitter,
BVCER with base to emiter load,
BVCEX reverse bias,or
BVCES short(see also Appendix F)
8 BVCBO Breakdown voltage,collector to base
9 BVEBO Breakdown voltage,emitter to base
10 VBESAT Base emitter saturation voltage
  1.電路符號


  (a)NPN       (b)PNP
2.結構       集電極


         (a) NPN



結構如上圖.三極管是由三塊半導体組成,構成兩個PN結,即集電結和發射結,基結3個電極,分別是集電極,基極,發射極,管子中工作電流有集電極電流Ic,基極電流Ib,發射極電流Ie,Ie=Ib+Ic  Ic=βIb, β為三極管電流放大倍數.
3.工作原理



(1)NPN                (2) PNP             (3)共發射極輸出特性曲線
(1) 放大區發射結正偏,集電結反偏,E1>E2,即 NPN型三極管Vc>Vb>Ve,
PNP型三極管  Vc<Vb<Ve.三極管處于放大狀態.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的電流能量是由電源提供的,此時Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)
(2) 截止
Ib≦0的區域稱截止區,UBE<0.5V時,三極開始截止,為了截止可靠,常使UBE≦0,即發射結零偏或反偏,截止時,集電結也反向偏置.
(3) 飽和區
當VCE<VBE,即集電結正向偏置,發射結正向偏置時,三極管處于飽和區.
飽和壓降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒0.3V,鍺管UCE(sat)≒0.1V
4. 主要參數
(1) 共發射極直流電流放大系數β,即Hfe, β=IC/IB

qaj · 发表于 2007-12-22 14:39:02

(4)       維持電流IH:從通態至斷態的臨界電流
(5)       控制極觸發電壓UG,一般1~5V
(6)       控制極觸發電流一般為幾十毫安至幾百毫安.
八.變壓器
變壓器是變換電壓的器件
1.電路符號
      .  .

   L1    L2
               (a)
(a)       圖中是帶鐵芯(或磁芯)的變壓器的符號,它有兩組線圈L1,L2,其中L1為初級,L2為次級.圈中黑點表示線圈的同名端,它表明是同名端的兩端上的信號相位是同樣的.
1.       結構
構成變壓器的部件一般有初級線圈,次級線圈.鐵芯線圈骨架,外殼等組成.為了防潮,絕緣,堅固,有時還泡有凡尼水.鐵芯是用來提供磁路的. 3.工作原理
當給初級通入交流電時,交流電流流過初級,初級要產生交變磁場,這一交變磁場的變化規律與輸入初級的交流電變化規律一樣.初級的交變磁場作用於次級線圈.次級線圈由磁勵電,在次級兩端便有感生電壓,這樣初級上的電壓便傳輸到次級了.
4.主要參數
(1)       變匝比:變壓器初級匝數為N1,次級匝數為N2,在初級上加信號電壓為U1,次級上的電壓為U2,則有下式成立:
U2/U1=N2/N1=N          N為變壓器的變壓比
(2)       效率
   是在額定負載時,輸出功率與輸入功率之比值,
   即η=Po/Pi*100%
(3)       電壓,電流的關系
若η=100%,則有P2=P1,式中

2為輸出功率,P1為輸入功率.因此有:
U2/U1=I1/I2=N2/N1=N
九.光電藕合器  (英文  PHOTO COUPLE)
PHOTOCOUPLER       Test #
(Requires Opto Adapter)       1       LCOFF       Collector to emitter dark current
      2       LCBO       Collector to base dark current
      3       BVCEO       Breakdown voltage,collector to emitter
      4       BVCBO       Breakdown voltage,collector to base
      5       HFE       Forward current transfer ratio,transistor
      6       VCESAT       Saturation voltage,base driven
      7       IR       Reverse current
      8       VF       Forward voltage
      9       CTR       Current transfer ratio,coupled
      10       VSAT       Saturation voltage,coupled
光電藕合器主要由兩個元件組成,一個發光二極管(LED),另一個是光
敏器件,它可以是光電池,光敏三極管,光敏單向可控硅等器件.
1.       電路符號

2.       工作原理
   當有電流流過LED時,便產生一個光源,光的強度取決於激勵電流的強度,此光源照射到封裝在一起的光敏三極管上後,光敏三極管產生一個與LED正向電流成正比例,該比例稱為CTR,即電流傳輸比.
   IF
            IC       IC/IF=CTR
十.場效應管
JEFT       Test #             Description
      1       VGSOFF       Gate to source cutoff voltage.
      2       lDss       Zero gate voltage drain current.
      3       BVDGO       Drain to gate breakdown voltage.
      4       IGSS       Gate reverse current.
      5       IDGO       Drain to gate leakage.
      6       IDOFF       Drain cut-off current.
      7       BVGSS       Gate to source breakdown voltage.
      8       VDSON       Drain to source on-state voltage.

   場效應管是一種由輸入信號電壓來控制其輸出電流大小的半導体
三極管,是電壓控制器件,輸入電阻非常高.
   場效應管分為:結型場效應管(JFET)和絕緣珊場效應管(IGFET)兩
大類.
   結型應管
一.       結型場效應管有N型和P型溝道兩種,電路符號如下
      d                d 結型場效應管有三極:珊極
g                g                            源極
   N型    s       P型    s                      漏極
二.工作原理
結型場效應管有兩個PN結,在珊源極上加一定電壓,在場效應管內部會形成一個導電溝道,當d,s極間加上一定電壓時,電流就可以從溝道中流過,即通過  源電壓來改變導電溝道電阻,實現對漏極電流的控制.
三.結型場效應管的主要參數
1.       夾斷電壓UDS(off),當UDS等于某一個定值(10v),使Id等于某一
  個微小電流(如50uA)時,  源極間所加的UGS即為夾斷電壓.
  UDS(off)一般為1~10V
2.       飽和漏極電流IDS:當UGS=0時,場效應管發生預夾斷時的漏極電
  流.
3.直流輸入電阻RGS
4.低頻跨導GM
5.漏源擊穿電壓U(BR)DS
6.珊源擊穿電壓U(BR)GS
7.最大耗散功率PDM
   絕緣珊場效應管
MOSFET       Test #             Description
      1       VGSTH       Threshold voltag
      2       IDss       Zero gate voltage drain current.
            lDSx       with gate to Source reverse bias.
      3       BVDss       Drain to Source breakdown voltage.
      4       VDSON       Drain to Source on-state voltage.
      5       IGSSF       Gate to Source leakage current forward.
      6       IGSSR       Gate to Source leakage current reverse.
      7       VF       Diode forward voltage.
      8       VGSF       Gate to Source voltage (forward)
                     required for specified In at specified Vos.
                     (see SISQ Appendix F)
      9       VGSR       Gate to Source voltage (reverse)
                     required for specified ID at specified VDS.
                     (see also Appendix F)
      10       VDSON       On-state drain current
      11       VGSON       On-state gate voltage

      一.結構和符號
   它是由金屬氧化物和半導体組成,故稱為MOSFET,簡稱MOS管,其工作原理類似於結型場效應管.
符號和極性
         d    iD             iD
   g       b


               s             s
   (1)增強型 NMOS                (2)增強型 PMOS


               iD                         iD
   g


   (3)耗盡型 NMOS                (4)耗盡型PMOS
二.主要參數
1.漏源擊穿電壓BVDS
2.最大漏極電流IDMSX
3.閥值電壓VGS (開啟電壓)
4.導通電阻RON
5.跨導(互導) (GM)
6.最高工作瀕率
7.導通時間TON和關斷時間
十一.集成電路  (英文  Integrated Circuit 縮寫為IC)
   集成電路按引腳分別為:單列集成電路,雙列集成電路,園頂封裝集成電路,四列集成電路,反向分布集成電路.
下列介紹幾種IC
  (一).TL431  它是一個基準電壓穩壓器電路,電路符號如圖:
         陰極(K)
            參考輸入端®
(a)    陽極(A)
TL431內部結構如圖(b),其內部有一個2.5V的基準電壓,當UR>2.5時,
K,A極處于導通狀態,當UR<2.5V時,K,A極截止.
         +                   K
   R -

                                                A
            (b)
(二).PWM開關電源的集成電路(IC)片
  1.DNA1001DP
   共16 Pin,各Pin功能如下:
1). CS 此腳做為電流模式控制,當此腳電壓超過1.0V時,IC失去作用
2). GND 電源地
3).DRIVE  驅動MOSFET管的輸出(方波輸出)
4).VCC 電源
5).UREF +5V參考電壓
6).RT/CT  此腳接RT到Pin5接CT到地,從而設定振蕩頻率與最大占空比.
7).FM    接電容到地,則會影響振蕩頻率,並且減少傳導與輻射的電磁干
      擾,街地則無此功能.
8).COMP  內部此腳接到電流比較器上,外部電路此腳一般接到光耦合器的
      集電極端做回授之用.

qaj · 发表于 2007-12-22 14:40:36

(4)       維持電流IH:從通態至斷態的臨界電流
(5)       控制極觸發電壓UG,一般1~5V
(6)       控制極觸發電流一般為幾十毫安至幾百毫安.
八.變壓器
變壓器是變換電壓的器件
1.電路符號
      .  .

   L1    L2
               (a)
(a)       圖中是帶鐵芯(或磁芯)的變壓器的符號,它有兩組線圈L1,L2,其中L1為初級,L2為次級.圈中黑點表示線圈的同名端,它表明是同名端的兩端上的信號相位是同樣的.
1.       結構
構成變壓器的部件一般有初級線圈,次級線圈.鐵芯線圈骨架,外殼等組成.為了防潮,絕緣,堅固,有時還泡有凡尼水.鐵芯是用來提供磁路的. 3.工作原理
當給初級通入交流電時,交流電流流過初級,初級要產生交變磁場,這一交變磁場的變化規律與輸入初級的交流電變化規律一樣.初級的交變磁場作用於次級線圈.次級線圈由磁勵電,在次級兩端便有感生電壓,這樣初級上的電壓便傳輸到次級了.
4.主要參數
(1)       變匝比:變壓器初級匝數為N1,次級匝數為N2,在初級上加信號電壓為U1,次級上的電壓為U2,則有下式成立:
U2/U1=N2/N1=N          N為變壓器的變壓比
(2)       效率
   是在額定負載時,輸出功率與輸入功率之比值,
   即η=Po/Pi*100%
(3)       電壓,電流的關系
若η=100%,則有P2=P1,式中

2為輸出功率,P1為輸入功率.因此有:
U2/U1=I1/I2=N2/N1=N
九.光電藕合器  (英文  PHOTO COUPLE)
PHOTOCOUPLER       Test #
(Requires Opto Adapter)       1       LCOFF       Collector to emitter dark current
      2       LCBO       Collector to base dark current
      3       BVCEO       Breakdown voltage,collector to emitter
      4       BVCBO       Breakdown voltage,collector to base
      5       HFE       Forward current transfer ratio,transistor
      6       VCESAT       Saturation voltage,base driven
      7       IR       Reverse current
      8       VF       Forward voltage
      9       CTR       Current transfer ratio,coupled
      10       VSAT       Saturation voltage,coupled
光電藕合器主要由兩個元件組成,一個發光二極管(LED),另一個是光
敏器件,它可以是光電池,光敏三極管,光敏單向可控硅等器件.
1.       電路符號

2.       工作原理
   當有電流流過LED時,便產生一個光源,光的強度取決於激勵電流的強度,此光源照射到封裝在一起的光敏三極管上後,光敏三極管產生一個與LED正向電流成正比例,該比例稱為CTR,即電流傳輸比.
   IF
            IC       IC/IF=CTR
十.場效應管
JEFT       Test #             Description
      1       VGSOFF       Gate to source cutoff voltage.
      2       lDss       Zero gate voltage drain current.
      3       BVDGO       Drain to gate breakdown voltage.
      4       IGSS       Gate reverse current.
      5       IDGO       Drain to gate leakage.
      6       IDOFF       Drain cut-off current.
      7       BVGSS       Gate to source breakdown voltage.
      8       VDSON       Drain to source on-state voltage.

   場效應管是一種由輸入信號電壓來控制其輸出電流大小的半導体
三極管,是電壓控制器件,輸入電阻非常高.
   場效應管分為:結型場效應管(JFET)和絕緣珊場效應管(IGFET)兩
大類.
   結型應管
一.       結型場效應管有N型和P型溝道兩種,電路符號如下
      d                d 結型場效應管有三極:珊極
g                g                            源極
   N型    s       P型    s                      漏極
二.工作原理
結型場效應管有兩個PN結,在珊源極上加一定電壓,在場效應管內部會形成一個導電溝道,當d,s極間加上一定電壓時,電流就可以從溝道中流過,即通過  源電壓來改變導電溝道電阻,實現對漏極電流的控制.
三.結型場效應管的主要參數
1.       夾斷電壓UDS(off),當UDS等于某一個定值(10v),使Id等于某一
  個微小電流(如50uA)時,  源極間所加的UGS即為夾斷電壓.
  UDS(off)一般為1~10V
2.       飽和漏極電流IDS:當UGS=0時,場效應管發生預夾斷時的漏極電
  流.
3.直流輸入電阻RGS
4.低頻跨導GM
5.漏源擊穿電壓U(BR)DS
6.珊源擊穿電壓U(BR)GS
7.最大耗散功率PDM
   絕緣珊場效應管
MOSFET       Test #             Description
      1       VGSTH       Threshold voltag
      2       IDss       Zero gate voltage drain current.
            lDSx       with gate to Source reverse bias.
      3       BVDss       Drain to Source breakdown voltage.
      4       VDSON       Drain to Source on-state voltage.
      5       IGSSF       Gate to Source leakage current forward.
      6       IGSSR       Gate to Source leakage current reverse.
      7       VF       Diode forward voltage.
      8       VGSF       Gate to Source voltage (forward)
                     required for specified In at specified Vos.
                     (see SISQ Appendix F)
      9       VGSR       Gate to Source voltage (reverse)
                     required for specified ID at specified VDS.
                     (see also Appendix F)
      10       VDSON       On-state drain current
      11       VGSON       On-state gate voltage

      一.結構和符號
   它是由金屬氧化物和半導体組成,故稱為MOSFET,簡稱MOS管,其工作原理類似於結型場效應管.
符號和極性
         d    iD             iD
   g       b


               s             s
   (1)增強型 NMOS                (2)增強型 PMOS


               iD                         iD
   g


   (3)耗盡型 NMOS                (4)耗盡型PMOS
二.主要參數
1.漏源擊穿電壓BVDS
2.最大漏極電流IDMSX
3.閥值電壓VGS (開啟電壓)
4.導通電阻RON
5.跨導(互導) (GM)
6.最高工作瀕率
7.導通時間TON和關斷時間
十一.集成電路  (英文  Integrated Circuit 縮寫為IC)
   集成電路按引腳分別為:單列集成電路,雙列集成電路,園頂封裝集成電路,四列集成電路,反向分布集成電路.
下列介紹幾種IC
  (一).TL431  它是一個基準電壓穩壓器電路,電路符號如圖:
         陰極(K)
            參考輸入端®
(a)    陽極(A)
TL431內部結構如圖(b),其內部有一個2.5V的基準電壓,當UR>2.5時,
K,A極處于導通狀態,當UR<2.5V時,K,A極截止.
         +                   K
   R -

                                                A
            (b)
(二).PWM開關電源的集成電路(IC)片
  1.DNA1001DP
   共16 Pin,各Pin功能如下:
1). CS 此腳做為電流模式控制,當此腳電壓超過1.0V時,IC失去作用
2). GND 電源地
3).DRIVE  驅動MOSFET管的輸出(方波輸出)
4).VCC 電源
5).UREF +5V參考電壓
6).RT/CT  此腳接RT到Pin5接CT到地,從而設定振蕩頻率與最大占空比.
7).FM    接電容到地,則會影響振蕩頻率,並且減少傳導與輻射的電磁干
      擾,街地則無此功能.
8).COMP  內部此腳接到電流比較器上,外部電路此腳一般接到光耦合器的
      集電極端做回授之用.

qaj · 发表于 2007-12-22 15:41:32

微波炉的工作原理

1946年，斯潘瑟还是美国雷声公司的研究员。一个偶然的机会，他发现微波溶化了糖果。事实证明，微波辐射能引起食物内部的分子振动，从而产生热量。1947年，第一台微波炉问世。
顾名思义，微波炉就是用微波来煮饭烧菜的。微波是一种电磁波。这种电磁波的能量不仅比通常的无线电波大得多，而且还很有"个性"，微波一碰到金属就发生反射，金属根本没有办法吸收或传导它；微波可以穿过玻璃、陶瓷、塑料等绝缘材料，但不会消耗能量；而含有水分的食物，微波不但不能透过，其能量反而会被吸收。
微波炉正是利用微波的这些特性制作的。微波炉的外壳用不锈钢等金属材料制成，可以阻挡微波从炉内逃出，以免影响人们的身体健康。装食物的容器则用绝缘材料制成。微波炉的心脏是磁控管。这个叫磁控管的电子管是个微波发生器，它能产生每秒钟振动频率为24.5亿次的微波。这种肉眼看不见的微波，能穿透食物达5cm深，并使食物中的水分子也随之运动，剧烈的运动产生了大量的热能，于是食物"煮"熟了。这就是微波炉加热的原理。用普通炉灶煮食物时，热量总是从食物外部逐渐进入食物内部的。而用微波炉烹饪，热量则是直接深入食物内部，所以烹饪速度比其它炉灶快4至10倍，热效率高达80%以上。目前，其它各种炉灶的热效率无法与它相比。
而微波炉由于烹饪的时间很短，能很好地保持食物中的维生素和天然风味。比如，用微波炉煮青豌豆，几乎可以使维生素C一点都不损失。另外，微波还可以消毒杀菌。
使用微波炉时，应注意不要空"烧"，因为空"烧"时，微波的能量无法被吸收，这样很容易损坏磁控管。另外，人体组织是含有大量水分的，一定要在磁控管停止工作后，再打开炉门，提取食物。
微波炉的基本结构
微波炉的基本外形和构造
①门安全联锁开关--确保炉门打开，微波炉不能工作，炉门关上，微波炉才能工作；
②视屏窗--有金属屏蔽层，可透过网孔观察食物的烹饪情况；
③通风口--确保烹饪时通风良好；
④转盘支承--带动玻璃转盘转动；
⑤玻璃转盘--装好食物的容器放在转盘上，加热时转盘转动，使食物烹饪均匀；
⑥控制板--控制各档烹饪；
⑦炉门开关--按此开关，炉门打开。
工作原理
(1)炉腔。炉腔是一个微波谐振腔，是把微波能变为热能对食品进行加热的空间。为了使炉腔内的食物均匀加热，微波炉炉腔内设有专门的装置。最初生产的微波炉是在炉腔顶部装有金属扇页，即微波搅拌器，以干扰微波在炉腔中的传播，从而使食物加热更加均匀。目前，则是在微波炉的炉腔底部装一只由微型电机带动的玻璃转盘，把被加热食品放在转盘上与转盘一起绕电机轴旋转，使其与炉内的高频电磁场作相对运动，来达到炉内食品均匀加热的目的。国内独创的自动升降型转盘，使得加热更均匀，烹饪效果更理想。
(2) 炉门：炉门是食品的进出口，也是微波炉炉腔的重要组成部分。对它要求很高，即要求从门外可以观察到炉腔内食品加热的情况，又不能让微波泄漏出来。炉门由金属框架和玻璃观察窗组成。观察窗的玻璃夹层中有一层金属微孔网，既可透过它看到食品，又可防止微波泄漏。由于玻璃夹层中的金属网的网孔大小是经过精密计算的，所以完全可以阻挡微波的穿透。
为了防止微波的泄漏，微波炉的开关系统由多重安全联锁微动开关装置组成。炉门没有关好，就不能使微波炉工作，微波炉不工作，也就谈不上有微波泄漏的问题了。
为了防止在微波炉炉门关上后微波从炉门与腔体之间的缝隙中泄漏出来，在微波炉的炉门四周安有抗流槽结构，或装有能吸收微波的材料，如由硅橡胶做的门封条，能将可能泄漏的少量微波吸收掉。抗流槽是在门内设置的一条异型槽结构，它具有引导微波反转相位的作用。在抗流槽入口处，微波会被它逆向的反射波抵销，这样微波就不会泄漏了。
由于门封条容易破损或老化而造成防泄作用降低，因此现在大多数微波炉均采用抗流槽结构来防止微波泄漏，很少采用硅橡胶门封条。抗流槽结构是从微波辐射的原理上得到的防止微波泄漏的稳定可*的方法。广东格兰仕企业（集团）公司生产的格兰仕微波炉所采用的就是国际上最先进的抗流槽结构和生产工艺，加上其开发研制的多重防微波泄漏技术，使微波泄漏控制技术达到国际先进水平。
，别忘了将微波炉门打开，让内部彻底风干。

wymlacn · 发表于 2008-1-6 21:29:29

很专业.很不错的东西啊.

顶啊,一定要顶起拉

Alain · 发表于 2008-1-10 16:10:00

好的东西不能沉水了
顶起

wymlacn · 发表于 2008-1-10 20:11:02

太专业了.学习啊.

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